Recentment, un equip de recerca de la Universitat de Harvard i el MIT va publicar un estudi innovador, anunciant que han desenvolupat amb èxit un làser de solitó híbrid basat en làsers de semiconductors acoblats. Aquest nou sistema làser pot formar espontàniament estats òptics complexos, aconseguint pintes de freqüència i fenòmens de bloqueig de fase que no es poden aconseguir amb un làser únic de lliure funcionament, proporcionant noves possibilitats per al desenvolupament de la tecnologia d’espectroscòpia, sistemes làser en xip i mesures precises.
L’equip d’investigació va dir que aquest nou mode de pols es pot extreure i amplificar per a una àmplia gamma d’experiments òptics no lineals. A més, el sistema làser també proporciona noves possibilitats per a l’aplicació d’espectroscòpia de doble combinació.
L’espectroscòpia de doble combinació és un mètode d’anàlisi espectral d’alta resolució i espectral que s’utilitza habitualment en la detecció d’absorció de gas, la metrologia de precisió i altres camps. El principi bàsic d’aquesta tecnologia és utilitzar dues pintes diferents de freqüència per detectar simultàniament les característiques d’absorció òptica de la mostra que s’està provant i barrejar el seu senyal òptic al detector de manera que la informació d’absorció òptica original es converteixi en un senyal electrònic. Aquest mètode millora considerablement la velocitat i la precisió de l’anàlisi espectral, i el sistema làser acoblat proposat en aquest estudi pot produir naturalment dues pintes de freqüència mútuament excloent, de manera que és molt adequat per a aquest tipus de tecnologia espectral.
