En primer lloc, hi ha dos principis reconeguts de la màquina de marcatge làser:
1) Treball en calent
Un feix de làser amb una alta densitat d'energia, que és un flux d'energia concentrat, irradia la superfície del material que es processa, absorbeix l'energia del làser a la superfície del material i genera un procés d'excitació tèrmica a la superfície irradiada de manera que la superfície de la temperatura del recobriment de la matèria, resultant en anormal, fosa, ablació, evaporació, etc.
2) Funcionament en fred
Fotons UV amb una elevada càrrega d'energia que interromp enllaços químics en materials (especialment materials orgànics) o en els mitjans circumdants fins al punt en què el material experimenta processos no tèrmics. Aquest tipus de treball en fred té una importància particular en el marcatge làser perquè no és tèrmicament ablacat, però no produeix els efectes secundaris de danys tèrmics que interrompen la fuga en fred dels enllaços químics i, per tant, no escalfa la capa interior i la proximitat de la superfície Mecanitzat o deformació tèrmica, etc.
En segon lloc, la classificació comuna de la màquina de marcatge làser
La màquina de marcatge làser més comú segons diferents làsers es pot dividir en: màquina de marcatge làser de CO2, màquina de marcatge làser de semiconductors, màquina de marcatge làser YAG, màquina de marcatge làser de fibra.
Segons la visibilitat diferent del làser es divideix en: màquina de marcatge làser UV (invisible), màquina de marcatge làser verd (làser visible), màquina de marcatge làser infraroig (làser invisible).
1) Màquina de marcatge làser YAG: Làmpada de Krypton com a font d'energia (font d'excitació), ND: YAG com a mitjà generat per làser, emet una longitud d'ona específica que pot promoure la transició de nivell de material de producció per alliberar el làser, l'amplificació de l'energia del làser. formació de processament làser de materials a la biga.
2) Màquina de marcatge làser de CO2: el gas de CO2 es carrega al tub de descàrrega com a mitjà de generació de làser. Quan s'aplica un alt voltatge a l'elèctrode i es genera una descàrrega de llum en el tub de descàrrega, es poden alliberar molècules de gasos i es pot amplificar l'energia del làser després de la formació del processament làser de materials a la biga.
3) El costat del semiconductor de la màquina de marcatge làser de la bomba YAG: l'ús de la longitud d'ona del díode làser de semiconductors de 808nm va ser un mitjà Nd: YAG, el medi produeix una gran quantitat de partícules invertides en el interruptor Q sota l'acció de la formació d'una longitud d'ona de sortida de làser polsant gegant de 1064 nm, eficient per a la conversió electro-òptica.
4) Màquina de marcatge làser de bombeta de semiconductors YAG: directament des del tanc de cristall làser de la bomba de llum (808nm) que es bomba al grup de lents òptiques per produir sortida làser. Feu que l'eficiència de conversió de la llum de la línia millori molt.
5) Màquina de marcatge làser de fibra: sortida làser directament des de la fibra òptica.
